삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 업계 최대용량 4기가비트(Giga bit) DDR3 D램을 개발했다. 이 제품은 소비전력을 최대 70%까지 줄일 수 있어 향후 다양한 IT분야에서 활용이 기대된다.
삼성전자는 지난해 9월 50나노 공정을 적용한 2기가비트 DDR3 D램을 최초로 개발한 데 이어 5개월만에 두 배 용량인 4기가비트 DDR3 D램 제품을 내놓았다고 29일 밝혔다. 이로써 삼성전자는 업계에서 가장 많은 50나노 D램(DDR3 4Gb.2Gb.1Gb.512Mb, DDR2 1Gb.512Mb) 제품군을 확보하게 됐다.
4기가비트 DDR3 D램은 대용량 모듈 개발에 주고 적용되는데, 패키지 적층 기술(DDP: Double Die Package)을 활용하면 32기가바이트(GB) 모듈 개발도 가능하다.
특히, 4기가비트 DDR3 D램은 기존 제품과 대비해 처리속도가 약 20% 향상됐다. 또 이 제품을 탑재하면 1기가비트 D램 대비 총 70% 까지 전력 소비도 줄일 수 있다.
데이터 센터(Data Center)와 같이 많은 서버를 사용하는 환경에서는, 저전력 메모리를 탑재하면 전기료를 줄이는 1차적인 효과뿐만 아니라, 열 방출 장비나 전원 공급 설비의 설치와 유지 측면에서도 비용과 공간을 절약할 수 있어 2차적인 경비 절감 효과도 가능해 진다.
이 같은 전력 절감 효과는 메모리 용량이 커지면 커질수록 높아지기 때문에, 고용량 메모리 시장의 확대에 따라 4기가비트 D램 수요는 더욱 늘어날 것으로 기대된다. 한편, 반도체 시장 조사기관인 IDC는 세계 DDR3 D램 시장 규모가 올해 전체 D램 시장의 29%에 이르고, 2011년에는 75%까지 늘어날 것으로 전망했다.
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