삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 최지성)는 30나노급 공정의 DDR3 D램을 개발했다고 2월 1일 밝혔다. 이번에 개발한 30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만의 성과이며 40나노램 공정을 기반으로 개발, 올 하반기부터 양산될 예정이라고 한다.
30나노 D램은 작년 7월부터 양산 체제에 들어간 40나노 D램에 비해 약 60% 정도 생산 수율이 높고 50~60나노 D램에 비해서는 2배 이상의 원가 경쟁력을 확보할 수 있다고 삼성측은 밝혔다. 소비전력은 50나노 D램에 약 30%, 40나노 D램에 약 15% 이상 절감되었다. 만약 30나노 4GB(기가바이트) D램 노트북에 장착하게 되면 시간당 전력 소비량은 약 3W(와트) 정도로 가정용 형광등 1개의 약 1/10에 불과하다. 이는 노트북 전체 소비전력의 3% 수준이다.
동작전압 1.35V, 동작 클럭 1.6Gbps로 속도 면에서도 큰 향상이 이루어졌다. PC용으로는 DDR3 1.5V 1.866Gbps으로 성능이 확장되는데, 60나노 DDR2 D램의 600Mbps의 약 3배, 40나노 DDR3 D램 대비 40% 빠른 속도이다.
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