삼성전자는 지난 2일 미국의 오스틴 반도체 공장에 2005년까지 총 5억 달러를 투자하는 "나노 3개년 투자계획"을 세웠으며 올해 그 첫 단계로 1억 2700만 달러 를 투자하기로 했다고 밝히고 기념행사를 가졌다.이날 행사에는 조지 부시 전 대통령을 비롯해 릭 페리 텍사스 주지사와 삼성전자 이윤을 사장 등 삼성전자 내부는 물론 200여명에 달하는 정재계 인사가 참석했다.발표된 내용을 살피면 올 하반기 1단계 투자로 인해 0.13㎛공정인 오스틴 공장은 0.11㎛공정으로 향상 되고 3개년 계획이 완료되는 2005년까지는 나노기술의 첨단 시설을 갖추게 된다.또한 나노공정으로 첨단화 됨에 따라 웨이퍼당 생산 칩수를 기존에 비해 40%정도 끌어 올림 으로써 원가절감은 물론 고도의 집적기술이 필요한 1GB DRAM 이상의 고성능 제품을 생산할 수 있게 된다.이번 계획은 1GB급 이상의 DRAM이 2004년부터는 상용화 될 것이 예상됨에 따라 다가오는 나노기술의 시대를 대비하기 위한 것으로 보인다.참고로, 나노기술이란 0.1㎛(=100nm)이하의 제조공정에 의한 생산기술을 말하며 늦어도 2004년 하반기 정도에는 나노기술에 의한 제품이 선을 보일것이라는 전망이다.-노트기어(red802@notegear.com)-
이
기사는 1개의
페이지로 구성되어 있습니다.
이전 [1] 다음 
