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삼성전자, 60나노미터 8Gb 낸드형 플래시메모리 개발 성공

이 기사는 1개의 페이지로 구성되어 있습니다.	등록일시 : 2004-09-21 오전 12:46:55

삼성전자가 세계 최초로 반도체 분야에서 60 나노미터(nm)의 벽을 돌파하였다. 이에 더해 3차원 입체기술을 이용하여 80nm 공정의 2Gb DDR2 D램과 세계 최고속에 해당하는 667㎒의 모바일CPU도 개발하는데 성공하였다. 이번에 개발된 60nm 공정의 8Gb 낸드형 플래시메모리는 내년부터 양산될 계획이며 이는 인텔이 오는 12월 발표 예정인 65nm 공정의 제품보다 한단계 앞선 기술에 해당하는 쾌거이다. 삼성전자가 개발한 이 제품은 D램, S램, 플래시메모리, 비메모리를 통틀어 최고의 미세공정을 적용한 제품으로 기록될 예정이다.

황창규 삼성전자 반도체총괄 사장은 "8Gb는 칩 단품 하나로 1기가바이트(GB) 시대를 열 수 있는 용량이며 이는 60nm라는 획기적인 미세공정에 기반을 둔 것”이라고 말했으며 “60nm 8기가 바이트 플래시메모리의 개발은 제품 자체보다도 디지털기기의 새로운 시장 창출과 진화를 주도한다는 점에서 더 큰 의미가 있다"고 덧붙였다.

8Gb 용량이면 10억자(영자 기준, 신문 약 6만 4000쪽 이상)를 엄지 손톱만한 크기에 불과한 칩 한개에 기록 및 저장할 수 있는 ‘꿈의 용량(기가바이트급)’에 해당한다. 이 칩으로 플래시 메모리카드를 만들 경우 16GB(8Gb×16) 용량을 구현할 수 있는데, 이는 DivX 영화 약 10편, MP3 음악파일 약 4000여 개, 신문 약 100만쪽 등을 각각 저장할 수 있는 용량이다.

삼성전자는 또 지난 99년 1Gb 제품을 개발한 후 약 5년 만에 80nm 공정의 2Gb DDR2 D램 개발에도 성공하였다. 이는 그동안 최소 65nm급 이하의 첨단기술을 적용해야만 2기가 용량 개발이 가능할 것이라는 업계의 통념을 뛰어넘은 성과이기에 더욱 의미가 크다. 삼성전자는 2Gb 제품을 조기 양산하고 8Gb 낸드형 플래시메모리는 내년말부터 양산하여 고속 대용량 D램 시장과 대용량 낸드형 플래시 메모리 시장을 조기 선점할 계획이며 70∼90nm 공정기술 개발 및 90∼110nm급 양산에 머물고 있는 경쟁 업체간의 격차를 더욱 벌려나갈 수 있을 것으로 예상하고 있다.

이에 더해 지난해 세계 최고속 533MHz의 모바일 CPU를 개발한데 이어 이번에는 세계 최고속 667㎒ 모바일 CPU를 선보였다. 이 제품은 0.13미크론의 공정을 적용, 동작전압 1.35V로 667MHz로 동작하여 3차원 그래픽, PDA 및 스마트폰의 그래픽 처리, 디지털 오디오 기능, 3차원 게임 실행 능력을 크게 높였다. 삼성전자는 내년까지 800MHz급 모바일 CPU의 개발도 완료할 계획이라고 한다.

- 노트기어, 출처 : www.sec.co.kr